МЕНЮ
Каталог продукции

IGBT

STMicroelectronics также предлагает новое поколение IGBT-транзисторов (биполярных транзисторов с изолированным затвором), разработанных с применением технологии PowerMESH, с успехом используемой в MOSFET-транзисторах. Основные преимущества новых IGBT транзисторов: ниже UСE SAT (напряжение насыщения КЭ), выше IC (ток коллектора), больше скорость переключения. Семейство IGBT-транзисторов с низким UСE SAT можно идентифицировать по суффиксу "S" в наименовании, например, STGD7NB60S. Зависимость UСE SAT от IC приведена на рисунке. Это семейство IGBT-транзисторов применяется на частотах до 1 кГц для управления различными низкочастотными моторами.

Part Number Collector-Emitter Voltage(Vces) (V) Collector Current (A) (@ Tc = 100 ?C) max Collector Current (A) (@ Vce(sat)) typ Vce(sat) (V) (@ Tc = 125 ?C) Turn-off switching losses (mJ) (@ Tc=125 °C) Anti-Parallel Diode Switching Frequency (kHz) Total Power Dissipation (W)
STGWA40S120DF3 1200 40 40 1.9 5 Fast 8 468
STGWA15S120DF3 1200 15 15 1.75 1.7 Fast 8 259
STGW40S120DF3 1200 40 40 1.9 5 Fast 8 468
STGWA25S120DF3 1200 25 25 1.8 3 Fast 8 375
STGW15S120DF3 1200 15 15 1.75 1.7 Fast 8 259
STGW25S120DF3 1200 25 25 1.8 3 Fast 8 375

Более подробно об остальных транзисторах IGBT

 

 

127322, Москва, ул.Милашенкова, д.22
Схема проезда...
E-mail: info@dectel.su
Скачать прайс лист: DectelPrice.zip
Top.Mail.Ru