КТ3107 - BC556; BC557 PNP тразистор общего применения (Uкэ 45-65в,Iк-100mА,hоэ 200-800,P-500mВт)

ТИП	Uкбо(и), В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Кш, Дб
КТ3107А	50	50	100(200)	0.25	100-200	0.05	150	10	BC556B
КТ3107Б	50	50	100(200)	0.25	200-500	0.05	150	10	BC556B,C
КТ3107В	30	30	100(200)	0.25	200-500	0.015	150	10	BC556B,C; BC557B,C
КТ3107Г	20	20	100(200)	0.25	400-1000	0.015	150	10	BC556C; BC557C
КТ3107Д	30	30	100(200)	0.25	200-500	0.015	150	4	BC556B,C; BC557B,C
КТ3107Е	20	20	100(200)	0.25	400-1000	0.015	150	4	BC556C; BC557C
КТ3107Ж	20	20	100(200)	0.25	100-250	0.05	150	-	BC556B; BC557B
КТ3107И	20	20	100(200)	0.25	200-500	0.05	150	-	BC556B,C; BC557B,C
КТ3107К	20	20	100(200)	0.25	200-500	0.015	150	-	BC556B,C; BC557B,C

Корпус: КТ3107А-3107К	Корпус: BC556B,C; BC557B,C

ТИП	Uкбо(и), В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Кш, Дб
КТ3107АМ	50	50	100(200)	0.25	100-200	0.05	150	10	BC556B
КТ3107БМ	50	50	100(200)	0.25	200-500	0.05	150	10	BC556B,C
КТ3107ВМ	30	30	100(200)	0.25	200-500	0.015	150	10	BC556B,C;BC557B,C
КТ3107ГМ	20	20	100(200)	0.25	400-1000	0.015	150	10	BC556C; BC557C
КТ3107ДМ	30	30	100(200)	0.25	200-500	0.015	150	4	BC556B,C; BC557B,C
КТ3107ЕМ	20	20	100(200)	0.25	400-1000	0.015	150	4	BC556C; BC557C
КТ3107ЖМ	20	20	100(200)	0.25	100-250	0.05	150	-	BC556B; BC557B
КТ3107ИМ	20	20	100(200)	0.25	200-500	0.05	150	-	BC556B,C BC557B,C
КТ3107КМ	20	20	100(200)	0.25	200-500	0.015	150	-	BC556B,C; BC557B,C

Корпус: КТ3107АМ-3107КМ
Документация	Расшифровка обозначений параметров
Вариант в SMD корпусе:	КТ3129 - BC856; BC857
Комлпиментарный транзистор:	КТ3102 - BC546; BC547